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2N5550TFR - ON Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-2N5550TFR

Hersteller Teil #: 2N5550TFR

Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single

Hersteller: ON Semiconductor

Beschreibung: Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

Verpackung: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

2N5550TFR Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 21 hours ago)

Factory Lead Time

6 Weeks

Mount

Through Hole

Mounting Type

Through Hole

Package / Case

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Number of Pins

Weight

240mg

Transistor Element Material

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

140V

Collector-Emitter Saturation Voltage

250mV

Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

300MHz

Power Dissipation (Max)

625mW

Number of Elements

hFEMin

Operating Temperature

150°C TJ

Packaging

Tape & Reel (TR)

Published

2000

JESD-609 Code

Pbfree Code

yes

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Terminal Finish

Tin (Sn)

Voltage - Rated DC

140V

Terminal Position

BOTTOM

Current Rating

600mA

Frequency

300MHz

Base Part Number

2N5550

Element Configuration

Single

Power Dissipation

625mW

Transistor Application

AMPLIFIER

Polarity/Channel Type

NPN

Transistor Type

NPN

Collector Emitter Voltage (VCEO)

140V

Max Collector Current

600mA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 10mA 5V

Current - Collector Cutoff (Max)

100nA ICBO

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 5mA, 50mA

Transition Frequency

100MHz

Max Breakdown Voltage

140V

Collector Base Voltage (VCBO)

160V

Emitter Base Voltage (VEBO)

Height

4.58mm

Length

4.58mm

Width

3.86mm

Radiation Hardening

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Lead Free

Teilenummer	Paket	Beschreibung
2N5550TFR	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
2N5550TAR	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
2N5550TA	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
2N5550RLRP	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	TRANS NPN 140V 0.6A TO-92

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Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

Verpackung: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 33000 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: aufrufen

Menge.	Stückpreis
1+:	$0.00000
10+:	$0.00000
100+:	$0.00000
500+:	$0.00000
1000+:	$0.00000

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